В конце лета прошлого года компания SK Hynix официально представила свою новую разработку – DRAM память HBM2E, считающуюся самой быстрой на рынке. Отличительной особенностью этой памяти является ее высокая скорость передачи данных через один контакт – 3,6 ГБит/с, что на 50% опережает предыдущее поколение HBM2.
Сегодня же компания SK Hynix объявила о начале серийного производства HBM2E памяти. Помимо высокой скорости передачи данных через контакт, каждый слой этой памяти обладает пропускной способностью впечатляющих 460 ГБайт/с.
В сравнении с GDDR6 памятью, которая имеет пропускную способность всего 448 ГБайт/с, разрыв в эффективности становится очевидным.
Особенно стоит отметить, что один слой HBM2E памяти может похвастаться увеличенным объемом памяти благодаря использованию технологии Through Silicon Via. Это позволяет размещать до 8 чипов емкостью по 16 ГБит каждый в вертикальной компоновке, обеспечивая итоговый объем памяти в 16 ГБайт – в два раза больше, чем у предыдущего поколения.
Новая HBM2E память сочетает в себе высокую скорость передачи данных, значительную пропускную способность и низкое энергопотребление, что делает ее идеальным решением для применения в области искусственного интеллекта. Сочетание данных характеристик делает эту память практически необходимой в таких высокотехнологичных областях, где требуется быстрая обработка данных и низкое энергопотребление.
Мне кажется, что развитие технологий в области компьютерной памяти такого уровня открывает новые горизонты для современной науки и индустрии.
Применение HBM2E памяти в области искусственного интеллекта сулит перспективы улучшения производительности вычислений и решения сложных задач, что вносит важный вклад в развитие технологий и современного общества в целом.